三星晶圆代工，签下1183亿元大单

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来源：内容来自半导体行业观察综合。

据三星电子28日发布的消息，公司近日与一家国际巨头签订了半导体代工（晶圆代工）生产合同，合同金额达22.7648万亿韩元（约合人民币1183亿元），合同期截至2033年12月31日。三星电子称，遵从商业保密原则，无法公开合同方以及合同详情。

三星晶圆代工， 一季度表现不佳

根据TrendForce的报告，三星晶圆代工在2025年第一季度的营收为28.9亿美元，较上一季度下降11.3%。该公司在全球晶圆代工市场的份额也从2024年第四季度的8.1%小幅下降至7.7%。这表明三星未能获得大客户，原因可能是尖端节点良率低、与系统大规模集成电路（LSI）部门存在数据共享风险以及其他原因。

TrendForce的研究结果指出，2025年前三个月三星晶圆代工业务下滑的主要原因有两个。第一，该公司对中国消费者补贴计划的敞口有限；第二，美国对先进节点的限制。

不出所料，台湾的台积电在2025年第一季度以67.6%的市场份额和255亿美元的营收领跑全球晶圆代工市场。同样，中国大陆的中芯国际营收增长了1.8%，达到22.5亿美元，市场份额从上一季度的5.5%增长至6%。这些数据巩固了中芯国际在晶圆代工市场第三名的位置。

更重要的是，这对三星来说是一个警示，因为它一直在探索不同的策略，以在晶圆代工领域站稳脚跟。如果这家韩国公司在未来几个月内未能改善其晶圆代工业务，中芯国际很有可能超越它。理想情况下，三星希望赶上台积电，但现在它面临着被中芯国际夺走第二名的风险。

然而，三星仍然乐观地认为，随着 2nm 制程时代的到来，其市场地位将有所回升。该公司计划将其 2nm Exynos 2600 芯片集成到即将推出的 Galaxy S26 系列中。如果成功，这将有助于重拾高通和英伟达等主要代工客户的信任。

三星芯片业务有望通过新工艺反弹

三星电子的芯片制造设备解决方案 (DS) 部门将采用更精细的制造工艺，以实现更快、更强大的计算能力，旨在获得全球大型科技公司的订单，这提高了人们对其从长期盈利低迷中反弹的预期。

据业内官员本月初透露，三星电子副董事长兼 DS 部门负责人全永铉此前访问了美国，并会见了包括英伟达在内的全球大型科技公司的同行。

他的会议细节尚不清楚，但据报道，他讨论了三星为人工智能 (AI) 处理器提供高带宽内存 (HBM) 的潜在供应以及该公司的代工能力。

此次会议召开之际，该公司近期获得了采用10纳米1c级工艺生产的DRAM的生产准备批准。该批准适用于已准备好量产的产品。

1c 制程指的是 10 纳米级的第六代制造工艺，分为六个阶段：1x、1y、1z、1a、1b 和 1c。这一进步体现了更精细的节点尺寸，从而带来了更强大的计算能力和更高的能效。1c 制程大约相当于 11 纳米。

据悉，三星计划采用其1c工艺生产的DRAM作为HBM4的核心芯片，HBM4是三星、SK海力士和美光正在准备在今年下半年量产的最新、最先进的HBM芯片。

SK海力士和美光已将其下一代HBM4芯片样品发送给主要客户进行认证测试，但据报道，已发送的芯片采用1b工艺制造。三星计划通过使用1c工艺来突出其HBM4的差异化特性。

作为该计划的一部分，该公司将恢复位于京畿道平泽市的4号工厂的扩建。4号工厂最初计划为其代工业务增加生产线，但该公司已决定安装1c工艺的生产线。

该公司亏损的代工业务也在寻求反弹。

三星代工厂目前正在采用其 8 纳米工艺生产英伟达的 T239 芯片组。T239 是任天堂 Switch 2 的主处理器，这款游戏机是任天堂有史以来销售最快的游戏机，上市四天全球销量就达 350 万台。科技媒体预计，这款游戏机将为三星带来超过 12 亿美元的销售额。

人们对三星更精细的制造工艺的期望也越来越高。三星代工厂已开始采用其 3 纳米工艺为 Galaxy Z Flip 7 量产 Exynos 2500 应用处理器，该处理器将于 7 月 9 日的发布会上亮相。

由于 Exynos 2500 未被三星旗舰产品 Galaxy S25 系列采用，因此人们对该处理器产生了怀疑，但该公司最近提高了其生产良率，并在其网站上宣布该处理器现已“量产”。

今年下半年，该公司还将为 Galaxy S26 系列生产采用 2 纳米工艺的 Exynos 2600。

据悉，三星晶圆代工厂还正利用2纳米级和Gate-All-Around技术，争取高通下一代应用处理器和Nvidia图形处理器的订单。

因此，分析师对三星第三季度盈利前景的预测更加乐观。IM证券分析师宋明燮（Song Myung-sub）预计，三星DS部门今年第三季度的营业利润将达到4.61万亿韩元，同比增长19.43%。

宋先生表示：“三星最近已开始全面生产其1b DDR5，并正在提高其1c工艺的良率。这些进展表明其在传统DRAM领域的竞争力可能有所恢复。然而，其针对Nvidia的12位高HBM3E的认证似乎被推迟了，而其基于1c工艺的HBM4能否成功仍存在不确定性。”

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4108期内容，欢迎关注。

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